上海新傲科技股份有限公司

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序号	特征	参数	测试方法
1	外延层掺杂剂	P,P+:Boron N,N+:Phosphorus, Arsine
2	外延层晶向	<100>,<111>
3	外延层电阻率	P,N:10^-1 ∽ 10²Ω·cm	ASTM F723
4	外延层电阻率中心值偏差	≤±5%	For 6'
5	外延层电阻率均匀性	≤±3%	For 6'
6	外延层厚度	1 to 100 Micrometer	ASTM F95、F110
7	外延层厚度中心值偏差	≤±5%	For 6'
8	外延层厚度均匀性	≤±3%	For 6'
9	堆垛层错密度性	10/cm²	ASTM F1810
10	滑移线	5条，总长度不超过圆片半径	ASTM F1725 F1726
11	雾	NONE	ASTM F523
12	划伤	NONE	ASTM F523
13	凹坑、桔皮、裂纹、鸦爪	NONE	ASTM F523
14	崩边	NONE	ASTM F523
15	冠状边缘	表面上凸起物高度不超过1/3延层厚度	To be defined
16	异物	NONE	ASTM F523
17	背面沾污	NONE	ASTM F523
18	点缺陷	SEMI标准	ASTM F523

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新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和SSS四种方法，利用从美国和日本知名设备制造商进口的先进设备来制备SOI材料，以确保新傲圆片能够达到国际半导体标准，并能够满足当今世界主流IC生产线的要求。依靠美国MT公司强大而持续的技术支持，整合国产化衬底片良好的性价比以及以及新傲自身强大而灵活的加工能力优势，新傲向客户提供专业化得外延服务。