新傲的主要股东上海微系统与信息技术研究所80年代初在国内率先开展SOI技术研究,至今已有20年的历史。新傲在SOI材料研究方面居国内领先位置,并保持国际先进水平。

1)   2002年,新傲公司建立了国内第一条SIMOX SOI生产线,并开发相关的成套工艺,研制出系列的全剂量、中等剂量和低剂量SIMOX产品。      

2)   2005年,新傲开发出键合SOI材料生产技术;同年,在结合SIMOX和键合技术的基础上,新傲开发出具有自主知识产权的Simbond®技术(ZL 200510028365.6)

3)   2008年,新傲开发出另一项同样具有自主知识产权的BEST-SOI技术(ZL 200810201039.4)

4)   2010年,新傲北区建成投产,批量生产8英寸SOI/EPI产品。

5)   2014年,瞄准RF、汽车电子市场的蓬勃发展,新傲与法国Soitec公司开展技术合作,引进注氢剥离技术,并于2015年实现SOI产品的量产。

6)   新傲自成立以来,先后承担了包括国家863计划微电子配套材料重大专项、信息产业部电子发展基金重大项目、国家特种设备引进项目、上海市科教兴市重大产业科技攻关项目等40余项重大政府研发课题和产业化项目。2008年起,作为第一批启动项目,公司开始承担国家科技重大项目中《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》专项(02专项)的相关课题,包括:200mm SOI晶圆片研发与产业化;SOI材料及高压器件的研发与模型建立;200mm 外延片产品开发与产业化;硅基GaN材料及核心器件的研发。

7)   截止到2015年,新傲公司共申请受理专利120项,其中60项已授权,PCT 3项。 

8)   瞄准SOI器件及下一代微纳电子材料的应用,同中科院上海微系统所紧密合作,积极推进包括:高迁移率衬底材料、高k栅极介质材料、特种 SOI材料、SOI高压器件以及硅基光互联等方面的研究工作。

新傲公司SOI主要专注下述领域:

      SIMOX

      Bonding

      Simbond

      H Implantation Layer Transfer

      Best SOI

      Direct Si-Si Bonding

与此同时,新傲公司也致力于外延技术的发展:

  • 在红外加热筒式外延设备上开发重掺As衬底上的外延工艺,抑制As的自掺杂效应,生长高阻、过渡区窄的外延层
  • 在红外加热筒式外延设备上实现厚度和电阻率均匀性好的1um左右的BiCMOS用外延片
  • 双埋层、As埋层电路衬底上高阻外延工艺开发 
  • 全梯度和半梯度外延工艺开发并应用到全系列FRD产品

 

新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和Smart-Cut四种方法,利用从美国和日本知名设备制造 商进口的先进设备来制备SOI材料, 以确保新傲圆片能够达到国际半导体标准, 并能够满足当今世界主流IC生产线的要求。 依靠美国MT公司强大而持续的技术支持,整合国产化衬底片良好的性价比以及以及新傲自身强大而灵活的加工能力优势,新傲向客户提供专业化得外延服务。
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