新傲主要采用硅气相外延，利用硅的气态化合物，主要为SiHCL3, SiH2CL2. 这两种硅化合物在加热的硅衬底表面与氢反应或自身发生分解，还原成硅，并以单晶的形式沉淀在硅衬底表面。 外延工艺是一种薄层生长技术。能批量生产参杂均匀，厚度一致，晶格结构完整的外延片。利用同质外延技术制备N/N+ 或P/P+ 结构外延片可解决晶体管制作中频率特性和击穿功率特性间的矛盾。利用N/P型结构的外延片可以实现双极型集成电路的元器件之间的隔离，可靠性，成品率大大提高，成本大大降低。
