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新傲主要采用硅气相外延,利用硅的气态化合物,主要为SiHCL3, SiH2CL2. 这两种硅化合物在加热的硅衬底表面与氢反应或自身发生分解,还原成硅,并以单晶的形式沉淀在硅衬底表面。
外延工艺是一种薄层生长技术。能批量生产参杂均匀,厚度一致,晶格结构完整的外延片。利用同质外延技术制备N/N+ 或P/P+ 结构外延片可解决晶体管制作中频率特性和击穿功率特性间的矛盾。利用N/P型结构的外延片可以实现双极型集成电路的元器件之间的隔离,可靠性,成品率大大提高,成本大大降低。


工艺流程

 Quality of Reactors

 不同衬底材料下的外延


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新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和Smart-Cut四种方法,利用从美国和日本知名设备制造 商进口的先进设备来制备SOI材料, 以确保新傲圆片能够达到国际半导体标准, 并能够满足当今世界主流IC生产线的要求。 依靠美国MT公司强大而持续的技术支持,整合国产化衬底片良好的性价比以及以及新傲自身强大而灵活的加工能力优势,新傲向客户提供专业化得外延服务。
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